计组笔记 03 存储器层次结构
存储器层次结构通过 Cache、主存和辅存的分级设计,在有限成本下平衡访问速度与存储容量,其理论基础是时间与空间局部性原理。 其中 SRAM 用于高速 Cache、DRAM 用于主存,并通过映射、替换和写策略等机制提升数据访问效率与系统性能。
计组笔记 03 存储器层次结构
第3章 存储器层次结构
一、基本概念
- 存储器系统 (Memory System):计算机存储数据与程序的层次化系统。
- 存储层次结构:为兼顾速度与容量,计算机采用 Cache-主存-辅存 多级存储体系。
- 设计目标:在有限成本下,使 CPU 访问存储器的速度尽量接近 Cache,容量尽量接近磁盘。
1. 存储器分类
- 按存储介质:半导体存储器、磁存储器、光存储器。
- 按存取方式:随机存取(RAM)、顺序存取、直接存取。
- 按可更改性:易失性(断电丢失)、非易失性。
- 按功能:主存、辅存、高速缓存、控制存储器。
2. RAM 类型
- SRAM:静态随机存储器,触发器结构,速度快,功耗大,容量小,用于 Cache。
- DRAM:动态随机存储器,电容存储,需刷新,速度慢,容量大,用于主存。
3. ROM 类型
- PROM:一次写入。
- EPROM:紫外线擦除后可重新写入。
- EEPROM:电擦除,可反复写入。
- Flash:快速电擦除,常用于 SSD、U盘。
二、辅存与磁盘存储
1. 磁盘结构
- 盘片(platter)、盘面(surface)、磁道(track)、扇区(sector)、间隙(gap)。
磁盘容量公式:
2. 磁盘性能指标
- 寻道时间 (Seek Time):磁头移动到目标磁道的时间。
- 旋转延迟 (Rotational Latency):磁盘旋转到目标扇区的等待时间。
- 传输时间 (Transfer Time):读写扇区数据的时间。
平均存取时间公式:
3. 固态硬盘 (SSD)
- 基于 Flash,速度快,无机械延迟。
- 类型:Flash SSD(常见)、DRAM SSD(高速)。
三、局部性原理
- 时间局部性:程序在短时间内重复访问同一数据/指令。
- 空间局部性:访问地址倾向于聚集在相邻区域。
- 意义:是 Cache 与层次化存储的理论基础。
四、层次化存储结构
- 金字塔模型:CPU寄存器 → Cache (L1/L2/L3, SRAM) → 主存 (DRAM) → 磁盘 → 远程存储。
- Cache:位于 CPU 与主存之间的高速存储,用来存放近期频繁使用的数据。
Cache 映射方式
- 直接映射 (Direct-mapped):主存块只能映射到固定 Cache 行。简单,但冲突率高。
- 全相联 (Fully associative):主存块可映射到任意 Cache 行,命中率高,但硬件复杂。
- 组相联 (Set associative):折中方案,主存块映射到一组 Cache 行。
Cache 替换策略
- LRU (最近最少使用)
- FIFO (先进先出)
- 随机替换
Cache 写策略
- 写直达 (Write-through):同时写 Cache 和主存,简单但速度慢。
- 回写 (Write-back):只写 Cache,回写时再更新主存,效率高。
五、对比
- SRAM vs DRAM
- SRAM:快、不刷新、贵、容量小(Cache)。
- DRAM:慢、需刷新、便宜、容量大(主存)。
- 易失性 vs 非易失性存储器
- 易失性:断电丢失(RAM)。
- 非易失性:断电保存(ROM、Flash)。
- 直接映射 vs 全相联 vs 组相联
- 直接:唯一位置,易冲突。
- 全相联:任意位置,代价高。
- 组相联:折中方案,常用。
六、习题与考点
- 主存采用的存储器是? → DRAM。
- Cache采用的存储器是? → SRAM。
- EPROM 擦除方式? → 紫外线。
- 平均存取时间公式? → 寻道 + 旋转延迟 + 传输时间。
- 局部性原理分类? → 时间局部性 & 空间局部性。
- Cache 替换策略最常用? → LRU。
七、速记
- 存储分类口诀:材质半磁光,存取随顺直。
- SRAM vs DRAM:快小贵 vs 慢大便宜。
- ROM口诀:一次PROM,紫外EPROM,电擦EEPROM,快闪Flash。
- 磁盘性能公式:总=寻道+旋转+传输。
- 局部性口诀:时间重复近,空间邻居近。
- Cache写策略:直达慢稳,回写快险。
- 层次口诀:寄存器快小,Cache次之,主存大慢,磁盘更大。
本文由作者按照 CC BY-NC 4.0. 进行授权
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